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Vishay推出新款12V芯片級MOSF

发布时间:2019-11-08 21:52:37

Vishay推出新款12V芯片级MOSFET,可有效降低超便携产品的功耗 - 消费电子 - 电子工程

Si8457DB可在电源管理应用中用作电池开关和负载开关,在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为19mΩ、23.4mΩ和35mΩ与采用DFN 1.6mm方形封装的最接近器件相比,该器件的1.8V导通电压减小了17%器件可以在最低-1.8V下导通,加上±8V VGS,为大多数锂离子电池供电的应用提供了安全裕量、灵活的栅极驱动设计和高性能

Si8457DB能够在业内率先实现如此性能,要归功于极低的单位面积导通电阻,使器件在节省空间的同时还能够降低移动应用的电池功耗器件的低导通电阻意味着在直流电压和脉冲峰值电流下的压降非常低,以热的形式浪费掉的电能更少器件可在-1.8V下导通,简化了诸如适应低电池电压或IC负载拉低栅源电压等情况的设计工作

Si8457DB是移动电源管理的高效负载开关中的关键组成模块作为P沟道MOSFET,Si8457DB具有明显的优势,在电路里不需要电荷泵就能够开启导通,能直接与各种电源里的大量电源管理和控制IC配合工作

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